دانلود تحقیق حکاکی

لایه نازک SiO₂

معمولاً بوسیله رقیق کردن یا Buffer کردن HF انجام می شود.

حکاکی های PSG 10 بار سریع تر از اکسید رشد یافته حرارتی می باشد.

حکاکی Anisotropic حکاکی در مورد Si با استفاده از حکاکی پلاسما به کمک یون در ترکیبی از C₂ F₆ و CH₃F انجام می شود. قابلیت انتخاب روی Si خوب است، امّا روی Si₃N₄  خوب نیست .

حکاکی لایه نازک Si₃N₄

حکاکی کننده تر در دمای H₃PO_4,140 – 200OC   می باشد. SiO₂ حاصل از لایه نشانی بخار شیمیایی یک ماسک حکاکی خوب است. قابلیت انتخاب روی Si خیلی خوب است.                                                    حکاکی Anisotropic برای Si₃N₄ با استفاده از حکاکی پلاسما به کمک یون                                           ( Ion assisted Plasma etching ) در ترکیبی از C₂F₆ و CH₃F انجام می شود.

حکاکی قربانی ( sacrificial )